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SIHU3N50DA-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Package / Case TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 177pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHU3N50D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
SIHU3N50D-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIHU3N50D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2717
SIHU3N50D-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2687
SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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SIHU3N50DA-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHU3N50DA-GE3 Referenzpreis. SIHU3N50DA-GE3 Parameter, SIHU3N50DA-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHU3N50DA-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHU3N50DA-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHU3N50DA-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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