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SIHU6N80E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 827pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
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SIHU6N80E-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHU6N80E-GE3 Referenzpreis. SIHU6N80E-GE3 Parameter, SIHU6N80E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHU6N80E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHU6N80E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHU6N80E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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