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SIJH440E-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20330pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.96 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIJH440E-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
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SIJH440E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697

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SIJH440E-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIJH440E-T1-GE3 Referenzpreis. SIJH440E-T1-GE3 Parameter, SIJH440E-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIJH440E-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIJH440E-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIJH440E-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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