SIR638DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 204nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.88 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR632DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5224
SIR632DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3066
SIR638ADP-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2630
SIR638ADP-T1-GE3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 5777
SIR638ADP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5324
SIR638DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2600
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SIR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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