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SIR692DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series ThunderFET®
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1405pF @ 125V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 250V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIR692DP-T1-RE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 7.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24.2A (Tc)
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SIR692DP-T1-RE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIR692DP-T1-RE3 Referenzpreis. SIR692DP-T1-RE3 Parameter, SIR692DP-T1-RE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIR692DP-T1-RE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIR692DP-T1-RE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIR692DP-T1-RE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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