SIRA00DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11700pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SIRA00DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2389
SIRA00DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 39265
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIRA00DP-T1-GE3 IC Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 854
SIRA00DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 6319
SIRA01DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2515
SiRA02DP Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 24836
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 17613
SIRA02DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 17613
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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