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SIRA62DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN 30V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +16V, -12V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIRA62DP-T1-RE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4460pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA62DP-T1-RE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIRA62DP-T1-RE3 Referenzpreis. SIRA62DP-T1-RE3 Parameter, SIRA62DP-T1-RE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIRA62DP-T1-RE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIRA62DP-T1-RE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIRA62DP-T1-RE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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