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SIRB40DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 46.2W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIRB40DP-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
SIRB40DP-T1-GE3 Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2578 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SIRB40DP-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIRB40DP-T1-GE3 Referenzpreis. SIRB40DP-T1-GE3 Parameter, SIRB40DP-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIRB40DP-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIRB40DP-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIRB40DP-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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