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SISA14DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | SISA14DN-T1-GE3DKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
SISA14DN-T1-GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
SISA14DN-T1-GE3.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'SISA1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SISA10DN | vishay | Spezialisierte heiße ICs | 2566 |
SISA10DN-T1 | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 752 |
SISA10DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 27435 |
SISA10DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 706 |
SISA10DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SISA12ADN | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 576 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 22870 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 22870 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SISA12ADN-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 455 |
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SISA14DN-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SISA14DN-T1-GE3 Referenzpreis. SISA14DN-T1-GE3 Parameter, SISA14DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SISA14DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SISA14DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SISA14DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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