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SISA66DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3014pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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SISA66DN-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SISA66DN-T1-GE3 Referenzpreis. SISA66DN-T1-GE3 Parameter, SISA66DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SISA66DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SISA66DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SISA66DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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