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SISH410DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8SH
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 35A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SH
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISH410DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 20V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SISH402DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3098
SISH434DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3245
SISH472DN-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 9374

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SISH410DN-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SISH410DN-T1-GE3 Referenzpreis. SISH410DN-T1-GE3 Parameter, SISH410DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SISH410DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SISH410DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SISH410DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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