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SIZ918DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 29W, 100W
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Base Part Number SIZ918
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DTT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 28A
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SIZ918DT-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIZ918DT-T1-GE3 Referenzpreis. SIZ918DT-T1-GE3 Parameter, SIZ918DT-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIZ918DT-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIZ918DT-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIZ918DT-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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