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SQ2398ES-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SQ2398ES-T1_GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 152pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SQ2391ES-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 6481
SQ2391ES-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 6302
SQ2398ES-T1-BE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 6477
SQ2398ES-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 19358
SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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SQ2398ES-T1_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQ2398ES-T1_GE3 Referenzpreis. SQ2398ES-T1_GE3 Parameter, SQ2398ES-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQ2398ES-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQ2398ES-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQ2398ES-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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