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SQ4949EY-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 3.3W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 5.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
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SQ4949EY-T1_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQ4949EY-T1_GE3 Referenzpreis. SQ4949EY-T1_GE3 Parameter, SQ4949EY-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQ4949EY-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQ4949EY-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQ4949EY-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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