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SQD100N04-3M6_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 40V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SQD100A60 SANREX IGBT-Module 2671
SQD100A60S SANREX IGBT-Module 2546
SQD100M60 SANREX IGBT-Module 2633
SQD100N02-3m5L Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 10422
SQD100N02-3M5L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2545
SQD100N03-3M2L V Spezialisierte heiße ICs 10449
SQD100N03-3m2L-GE3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 6500
SQD100N03-3M2L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30258
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SQD100N04-3M6_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQD100N04-3M6_GE3 Referenzpreis. SQD100N04-3M6_GE3 Parameter, SQD100N04-3M6_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQD100N04-3M6_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQD100N04-3M6_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQD100N04-3M6_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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