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SQD50P08-28_GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 12.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6035pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
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-
Datenblätter
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Andere schließen ein "SQD50" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'SQD50'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SQD50A100 | SANREX | IGBT-Module | 2974 |
SQD50A60 | SANREX | IGBT-Module | 2703 |
SQD50A90 | SANREX | IGBT-Module | 2807 |
SQD50AA100 | SANREX | IGBT-Module | 2713 |
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SQD50P08-28_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQD50P08-28_GE3 Referenzpreis. SQD50P08-28_GE3 Parameter, SQD50P08-28_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQD50P08-28_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQD50P08-28_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQD50P08-28_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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