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SQJ412EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5950pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SQJ412EP-T1-GE3CT SQJ412EP-T1-GE3CT-ND SQJ412EP-T1_GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
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SQJ412EP-T1_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQJ412EP-T1_GE3 Referenzpreis. SQJ412EP-T1_GE3 Parameter, SQJ412EP-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQJ412EP-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQJ412EP-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQJ412EP-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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