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SQJQ910EL-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 187W
Package / Case PowerPAK® 8 x 8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2832pF @ 50V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJQ910EL-T1_GE3-ND SQJQ910EL-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SQJQ910EL-T1_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQJQ910EL-T1_GE3 Referenzpreis. SQJQ910EL-T1_GE3 Parameter, SQJQ910EL-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQJQ910EL-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQJQ910EL-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQJQ910EL-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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