SQM70060EL_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 75A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQM70060EL_GE3-ND SQM70060EL_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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SQM70060EL VISH Spezialisierte heiße ICs 8499
SQM70060EL_GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
SQM70060EL_GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SQM700JB-0R1 Yageo Durchsteckwiderstände 2727
SQM700JB-0R11 Yageo Durchsteckwiderstände 2528
SQM700JB-0R12 Yageo Durchsteckwiderstände 2565
SQM700JB-0R13 Yageo Durchsteckwiderstände 0
SQM700JB-0R15 Yageo Durchsteckwiderstände 2640
SQM700JB-0R16 Yageo Durchsteckwiderstände 2737
SQM700JB-0R18 Yageo Durchsteckwiderstände 0

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