SQP100P06-9M3L_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 187W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12010pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 30A, 10V
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SQP10AJB-0R1 Yageo Durchsteckwiderstände 2789
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SQP10AJB-0R12 Yageo Durchsteckwiderstände 0
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SQP10AJB-0R15 Yageo Durchsteckwiderstände 0
SQP10AJB-0R16 Yageo Durchsteckwiderstände 2788
SQP10AJB-0R18 Yageo Durchsteckwiderstände 0

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