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SQS460EN-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 8A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 8A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQS460EN-T1-GE3 SQS460EN-T1-GE3-ND SQS460EN-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SQS460EN-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 16250
SQS460EN-T1_GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2504
SQS460EN-TI-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 504
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SQS462EN-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 19021
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SQS460EN-T1_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQS460EN-T1_GE3 Referenzpreis. SQS460EN-T1_GE3 Parameter, SQS460EN-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQS460EN-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQS460EN-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQS460EN-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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