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BSP51 Technische Spezifikationen
TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-223
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1W |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-223-4 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSP51 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 33520 |
BSP51 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
BSP51 ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Spezialisierte heiße ICs | 758 |
BSP51 E6327 | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 34000 |
BSP51 H6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 1470 |
BSP51 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 909 |
BSP51,115 | Nexperia | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2500 |
BSP51,115 | Nexperia USA Inc. | Einzelne BJT-Transistoren | |
BSP51E6327 | INFIN | Spezialisierte heiße ICs | 2699 |
BSP51H6327XTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2570 |
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