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FCD4N60TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FCD4N60 Fairchi Spezialisierte heiße ICs 7494
FCD4N60 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 26813
FCD4N60TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32863
FCD4N60TF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10502
FCD4N60TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34463
FCD4N60TM ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FCD4N60TM_WS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FCD4N60TM_WS Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363

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