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FCI11N60 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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FCI11N60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2559

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FCI11N60 Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FCI11N60 Referenzpreis. FCI11N60 Parameter, FCI11N60 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FCI11N60 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FCI11N60 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FCI11N60 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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