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FDA20N50F Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 388W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3390pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FDA20N50 Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren
FDA20N50-F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2782
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FDA20N50F AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10052
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