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FDB6030BL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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