FDD10N20LZTM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDD1020C Original Spezialisierte heiße ICs 32363
FDD107AN06LA0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 60023
FDD107AN06LA0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 60023
FDD107AN06LA0 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12382
FDD107AN06LA0-NL F Spezialisierte heiße ICs 42363
FDD107AN06LAO Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32363
FDD10AN06 FSC Spezialisierte heiße ICs 499
FDD10AN06A Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1300
FDD10AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 80908
FDD10AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 80908

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