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FDD306P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 52W (Ta)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta)
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Die folgenden Teile umfassen  'FDD30' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDD300004 Diodes Incorporated Oszillatoren 2688
FDD3055 F Spezialisierte heiße ICs 32363
FDD3055L TO-252 Spezialisierte heiße ICs 2584
FDD3055L-NL TO-252 Spezialisierte heiße ICs 2617
FDD306P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 57242
FDD306P ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDD306P MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1309

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