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FDI030N06 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 231W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9815pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDI030N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2511
FDI030N06 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDI030N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 555
FDI038AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3215
FDI038AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1170
FDI038AN06A0 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDI038AN06AO FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2708

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