FDME910PZT Technische Spezifikationen

MOSFET P CH 20V 8A MICROFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDME905PT AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 261677
FDME905PT Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 261677
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FDME910PZT MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1096

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