FDN338P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 451pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
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FDN332P FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 9445
FDN332P-NL FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 6477
FDN335 FSC Spezialisierte heiße ICs 12831
FDN335A FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 24500
FDN335A-NL F Spezialisierte heiße ICs 10000
FDN335AN FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 3200
FDN335AN-NL F Spezialisierte heiße ICs 1463
FDN335N Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12298
FDN335N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 238299

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