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FDN5630 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
FDN5630 Unterlagen
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-
Datenblätter
2.FDN5630.pdf 1.FDN5630.pdf
Andere schließen ein "FDN56" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FDN56'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FDN5618 | FAIRCHILD | Spezialisierte heiße ICs | 3500 |
FDN5618P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 127524 |
FDN5618P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 6474 |
FDN5618P | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
FDN5618P IC | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 2111 |
FDN5618P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 5510 |
FDN5618P-NL | FAIRCHI | Spezialisierte heiße ICs | 5403 |
FDN5618P-NL IC | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 30380 |
FDN5618P-SB4N007P | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 24489 |
FDN5618P_G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2663 |
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