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FDP12N50NZ Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 5.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1235pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET-II™
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDP120AN15A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
FDP120AN15A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
FDP120AN15AO VB Spezialisierte heiße ICs 37365
FDP120N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 15852
FDP120N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 80221
FDP120N10 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP120N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 51659
FDP12N50 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 19018
FDP12N50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 19018
FDP12N50 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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