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FDR842P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 11A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5350pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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