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FDS3612 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDS3601 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7650
FDS3601 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7650
FDS3601 Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
FDS3601 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
FDS3601 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 80360
FDS3601-NL F Spezialisierte heiße ICs 16071
FDS3601N F Spezialisierte heiße ICs 17585
FDS3601N MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 17920
FDS3601_NL Original Spezialisierte heiße ICs 514
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