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FDU6612A Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 9.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta), 30A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDU6612A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25047
FDU6612A Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren
FDU6612A MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 630
FDU6630A F Spezialisierte heiße ICs 10000
FDU6635 VB Spezialisierte heiße ICs 7000
FDU6637 F085 VB Spezialisierte heiße ICs 5000
FDU6644 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 41591
FDU6644 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 4509
FDU6670 VB Spezialisierte heiße ICs 7000
FDU6670A VB Spezialisierte heiße ICs 7000

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