FDU8586 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2480pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 77W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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FDU8580 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10453
FDU8580 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10326
FDU8586 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10000

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