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FDU8782 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-251AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 35A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 13V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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-
Datenblätter
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Andere schließen ein "FDU87" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FDU87'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FDU8770 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3000 |
FDU8770 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3000 |
FDU8770 | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
FDU8770_F071 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2714 |
FDU8770_F071 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2643 |
FDU8778 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 890 |
FDU8778 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 8053 |
FDU8778 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
FDU8780 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 20025 |
FDU8780 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1537 |
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