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FGA70N30TDTU Technische Spezifikationen

IGBT 300V 201W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 125nC
Current - Collector (Ic) (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 201W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGA70N30 FSC Spezialisierte heiße ICs 2506
FGA70N30TD Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32363
FGA70N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 32363
FGA70N30TDTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGA70N30TDTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
FGA70N30TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 32363
FGA70N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 32363
FGA70N30TTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
FGA70N30TTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGA70N33 FSC Spezialisierte heiße ICs 2647

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