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FJNS3210RBU Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92S
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Bulk
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3201RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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