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FJV3105RMTF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJV3101RLIMTF FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 4101
FJV3101RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 993875
FJV3101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 993875
FJV3101RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV3102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42941
FJV3102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42941
FJV3102RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV3103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 132094
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