FQA44N08 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 24.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 163W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49.8A (Tc)
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FQA44N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2890
FQA44N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 683
FQA44N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 40293
FQA44N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 519
FQA44N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8931
FQA44N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8931
FQA44N30 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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