FQA6N80_F109 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 185W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQA6N110 FSC Spezialisierte heiße ICs 2696
FQA6N70 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2778
FQA6N70 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2578
FQA6N80 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2573
FQA6N80 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2731
FQA6N80_F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
FQA6N90 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2509
FQA6N90 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2752
FQA6N90C FSC Spezialisierte heiße ICs 2647
FQA6N90C-F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2783

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