FQAF6N80 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PF
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case SC-94
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
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FQAF65N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2649
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FQAF6N70 FSC/ON Spezialisierte heiße ICs 8000
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FQAF6N80 Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren
FQAF6N90 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8000
FQAF6N90 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8000

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