FQB13N06TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB13N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6838
FQB13N06L F Spezialisierte heiße ICs 15397
FQB13N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2707
FQB13N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2549
FQB13N06TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2746
FQB13N10 VB Spezialisierte heiße ICs 34226
FQB13N10L FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 10235
FQB13N10L MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5507
FQB13N10LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2657
FQB13N10LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2789

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