FQB20N06LTM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB20N06 FSC Spezialisierte heiße ICs 2584
FQB20N06L VB Spezialisierte heiße ICs 1000
FQB20N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2654
FQB20N06TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2614
FQB20N06TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2566
FQB20N60FTM FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2524
FQB20N60LTM FS Spezialisierte heiße ICs 688
FQB20N60TM FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2582

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