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FQB4N90TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB4N20 VB Spezialisierte heiße ICs 32978
FQB4N20L VB Spezialisierte heiße ICs 37363
FQB4N20LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQB4N20LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQB4N20TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQB4N20TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQB4N25TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQB4N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
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FQB4N50 VB Spezialisierte heiße ICs 34104

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FQB4N90TM Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQB4N90TM Referenzpreis. FQB4N90TM Parameter, FQB4N90TM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQB4N90TM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQB4N90TM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQB4N90TM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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