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FQB50N06LTM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 26.2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB5050CFTM Fairchild Spezialisierte heiße ICs 2778
FQB50N03 VB Spezialisierte heiße ICs 5000
FQB50N06 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 34955
FQB50N06C VB Spezialisierte heiße ICs 5000
FQB50N06L FSC Spezialisierte heiße ICs 37520
FQB50N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 23146
FQB50N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2979
FQB50N06LTM ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQB50N06M VB Spezialisierte heiße ICs 5000
FQB50N06TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2740

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FQB50N06LTM Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQB50N06LTM Referenzpreis. FQB50N06LTM Parameter, FQB50N06LTM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQB50N06LTM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQB50N06LTM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQB50N06LTM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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