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FQB7N10LTM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 3.65A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB7N10 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6090
FQB7N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6457
FQB7N10L VB Spezialisierte heiße ICs 701
FQB7N10LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 268
FQB7N10TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2629
FQB7N10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2555
FQB7N10TM Rochester Electronics, LLC FQB7N10TM
FQB7N20 FAIRC Spezialisierte heiße ICs 12000
FQB7N20L VB Spezialisierte heiße ICs 17700
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FQB7N10LTM Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQB7N10LTM Referenzpreis. FQB7N10LTM Parameter, FQB7N10LTM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQB7N10LTM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQB7N10LTM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQB7N10LTM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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