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FQB8P10TM Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB8P10 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 10404
FQB8P10 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 25432
FQB8P10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34041
FQB8P10TM ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQB8P10TM MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 638
FQB8P10TM-NL VB Spezialisierte heiße ICs 37363

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FQB8P10TM Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQB8P10TM Referenzpreis. FQB8P10TM Parameter, FQB8P10TM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQB8P10TM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQB8P10TM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQB8P10TM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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